onsemi Geautoriseerde wederverkoper

MJ21196G

Name: MJ21196G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12090969
Availability: InStock

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor designed for high-power audio output, disk head positioners, and linear applications. ...

Bekijk gegevensblad

Niet RoHS-conform

Conformiteitscertificaat

BESCHRIJVING

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor that utilizes Perforated Emitter technology for high-power applications. It is rated for a collector-emitter voltage of 250 V and a continuous collector current of 16 A, with a total power dissipation capacity of 250 W. This device features a high DC current gain with a minimum hFE of 25 at an 8 A collector current, ensuring excellent gain linearity and low total harmonic distortion. Due to its high Safe Operating Area (SOA) and robust design, the MJ21196G is ideal for high-fidelity audio amplifiers, disk head positioners, and other demanding linear circuits.

Productkenmerken:

Mogelijke toepassingen:

Zoekwoorden: MJ21196G

SPECIFICATIES

Productkenmerk

Attribuutwaarde

Selecteer kenmerk

Producten gevonden: 0

Leverancier:

onsemi

Onderdeelnr.:

MJ21196G

Meeteenheid:

Per Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Standaardverpakking leverancier: Deze informatie wordt verstrekt voor klanten die de voorkeur geven aan het kopen in veelvouden van de standaardverpakkingshoeveelheid van de fabrikant. Minimale bestelhoeveelheden en vereiste bestelveelvouden worden weergegeven bij onze prijs- en beschikbaarheidsinformatie.