2N5686G

Name: 2N5686G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12088446
Availability: InStock

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for high-power amplifier and switching applications. ...

Bekijk gegevensblad

Niet RoHS-conform

Conformiteitscertificaat

BESCHRIJVING

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. It features a high continuous collector current capability of 50 Amperes and a collector-emitter voltage rating of 80 Vdc. The transistor provides a DC current gain (hFE) ranging from 15 to 60 at a collector current of 25 Adc, coupled with a low collector-emitter saturation voltage of 1.0 Vdc maximum under the same conditions. With a total power dissipation of 300 W, its robust characteristics make it ideal for demanding power amplification and switching circuits.

Productkenmerken:

Mogelijke toepassingen:

Zoekwoorden: 2N5686G

SPECIFICATIES

Productkenmerk

Attribuutwaarde

Selecteer kenmerk

Producten gevonden: 0

Leverancier:

onsemi

Onderdeelnr.:

2N5686G

Meeteenheid:

Per Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Standaardverpakking leverancier: Deze informatie wordt verstrekt voor klanten die de voorkeur geven aan het kopen in veelvouden van de standaardverpakkingshoeveelheid van de fabrikant. Minimale bestelhoeveelheden en vereiste bestelveelvouden worden weergegeven bij onze prijs- en beschikbaarheidsinformatie.