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2N5686G by onsemi
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2N5686G

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for high-power amplifier and switching applications. ...

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DESCRIPCIÓN

The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. It features a high continuous collector current capability of 50 Amperes and a collector-emitter voltage rating of 80 Vdc. The transistor provides a DC current gain (hFE) ranging from 15 to 60 at a collector current of 25 Adc, coupled with a low collector-emitter saturation voltage of 1.0 Vdc maximum under the same conditions. With a total power dissipation of 300 W, its robust characteristics make it ideal for demanding power amplification and switching circuits.

Palabras clave de búsqueda: 2N5686G

ESPECIFICACIONES

Atributo del producto
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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
2N5686G
Unidad de medida:
Por Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.
100
Dimensión:
38.86 x 26.67(Max) x 8.51(Max) mm
Familia:
2N5686
Tensión colector-base máxima:
80 V

EN STOCK: 100

Puede enviar inmediatamente

A la orden: 100   puede enviar 11/25/26 

Cantidad mínima de pedido: 5

Plazo de entrega de fábrica 16 Semanas

Precio (USD)

Cant.
Precio unitario
5
$16.66
25
$13.76
50
$13.66
100
$10.64
300
$10.62
500
$10.59
1.000 +
$10.56

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