2N5686G
The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for high-power amplifier and switching applications. ...
DESCRIPCIÓN
The 2N5686G is an NPN high-current silicon power transistor designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. It features a high continuous collector current capability of 50 Amperes and a collector-emitter voltage rating of 80 Vdc. The transistor provides a DC current gain (hFE) ranging from 15 to 60 at a collector current of 25 Adc, coupled with a low collector-emitter saturation voltage of 1.0 Vdc maximum under the same conditions. With a total power dissipation of 300 W, its robust characteristics make it ideal for demanding power amplification and switching circuits.
Palabras clave de búsqueda: 2N5686G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple 2N5686G con la normativa RoHS?
No, 2N5686G no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de 2N5686G?
El plazo de entrega estándar de 2N5686G es de aproximadamente 16 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 75
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Cantidad mínima de pedido: 5
Plazo de entrega de fábrica 16 Semanas
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