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MJ21196G

Name: MJ21196G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12090969
Availability: InStock

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor designed for high-power audio output, disk head positioners, and linear applications. ...

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RoHS no cumple con RoHS

Certificado de conformidad

DESCRIPCIÓN

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor that utilizes Perforated Emitter technology for high-power applications. It is rated for a collector-emitter voltage of 250 V and a continuous collector current of 16 A, with a total power dissipation capacity of 250 W. This device features a high DC current gain with a minimum hFE of 25 at an 8 A collector current, ensuring excellent gain linearity and low total harmonic distortion. Due to its high Safe Operating Area (SOA) and robust design, the MJ21196G is ideal for high-fidelity audio amplifiers, disk head positioners, and other demanding linear circuits.

Características destacadas:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: MJ21196G

ESPECIFICACIONES

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MJ21196G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.

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PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple MJ21196G con la normativa RoHS?

No, MJ21196G no cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de MJ21196G?

El plazo de entrega estándar de MJ21196G es de aproximadamente 34 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

EN STOCK: 1.801

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Plazo de entrega de fábrica 34 Semanas

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