Panasonic PhotoMOS® 光耦隔离半导体继电器
PhotoMOS® 光耦隔离半导体继电器采用 LED 输入与 MOSFET 输出,可控制多种交流及直流负载。产品封装从较大的 DIP 到较小的 VSSOP 一应俱全,PhotoMOS 的优势涵盖高开关速度、高信号频率切换能力以及长使用寿命
- 八种不同封装选择:SIL、电源-DIP、DIP、SOP、SSOP、SON、VSSOP、TSON
- 负载电压范围:20V - 1,500V(AC/DC)
- 负载电流范围:20mA - 10A
- 高输入/输出隔离性:最高可达 5,000Vrms
- 适用于射频应用的低 CxR 型号
- 适用于高密度安装及超低电流消耗的电容耦合(CC)型号
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