JANTX2N3019S
Bipolar (BJT) Transistor - NPN - 1A Ic - 80V Collector Emitter Breakdown (Max) - 800 mW - TO-39 Package - Through Hole.
DESCRIPCIÓN
The JANTX2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications. Operating temperature range is from -65°C to 200°C (TJ).
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ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple JANTX2N3019S con la normativa RoHS?
Sí, JANTX2N3019S cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de JANTX2N3019S?
El plazo de entrega estándar de JANTX2N3019S es de aproximadamente 22 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 226
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Plazo de entrega de fábrica 22 Semanas
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