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BSDW20G120C2 by bourns
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Bourns Distribuidor Autorizado

BSDW20G120C2

Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 20A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-3 ...

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TUBE embalaje
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DESCRIPCIÓN

BSDW20G120C2 is a Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode designed for high-efficiency power rectification applications. It features a repetitive peak reverse voltage of 1200 V, average forward current of 20 A, and non-repetitive peak forward surge current of 80 A. The device offers low forward voltage drop (1.6 V typical at 10 A), low reverse leakage current (1 µA typical at 25 °C), and operates over a junction temperature range of -55 °C to +175 °C. With total power dissipation of 272.7 W and thermal resistance of 0.55 °C/W (junction to mounting base, per device), this diode is well-suited for Switched-Mode Power Supplies (SMPS), Power Factor Correction (PFC), PV inverters, DC-DC converters, and motor drives.

Palabras clave de búsqueda: BSDW20G120C2

ESPECIFICACIONES

Atributo del producto
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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
Bourns
Nº de pieza:
BSDW20G120C2
Unidad de medida:
Por Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
CN
ECCN:
EAR99
Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.
600
Tipo de encapsulado:
TUBE

PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple BSDW20G120C2 con la normativa RoHS?

Sí, BSDW20G120C2 cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de BSDW20G120C2?

El plazo de entrega estándar de BSDW20G120C2 es de aproximadamente 18 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

EN STOCK: 3.600

Puede enviar inmediatamente

MOQ para Cantidad en Stock: 23

MOQ para cantidad agotada: 23

Plazo de entrega de fábrica 18 Semanas

Precio (USD)

Cant.
Precio unitario
23
$13.02
50
$12.98
100
$12.95
300
$12.92
600
$6.84
900
$4.81
1.200 +
$4.72
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