H11G2M
The H11G2M is a photodarlington-type optically coupled optocoupler in a 6-pin DIP package, designed for high voltage isolation. ...
DESCRIPCIÓN
The H11G2M is a photodarlington-type optocoupler that integrates a gallium arsenide infrared emitting diode with a silicon darlington phototransistor. This device features a high collector-emitter breakdown voltage of at least 80 V and exhibits high sensitivity with a minimum current transfer ratio (CTR) of 500% at a low input current of 1 mA. It provides high electrical isolation rated at 4,170 VACRMS for one minute and maintains low leakage current at elevated temperatures. The H11G2M is ideal for applications requiring power supply isolation, telephone ring detection, and interfacing with CMOS or low-input TTL logic.
Palabras clave de búsqueda: H11G2M
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple H11G2M con la normativa RoHS?
Sí, H11G2M cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de H11G2M?
El plazo de entrega estándar de H11G2M es de aproximadamente 16 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 1.345
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Cantidad mínima de pedido: 100
Plazo de entrega de fábrica 16 Semanas
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