OP216A
Hermetic Infrared Emitting Diode - 100mA If - 1.8V Vf - 1.2mW/cm² @ 50mA Radiant Intensity - 890nm - 24° Viewing Angle - Top View - Through Hole. ...
BESCHRIJVING
The OP216A is an 890 nm gallium aluminum arsenide infrared emitting diode (GaAIAs), mounted in a hermetically sealed “pig tale” package with an enhanced temperature range and a narrow irradiance pattern that provides high on-axis intensity for excellent coupling efficiency. These devices offer significantly higher power output than GaAs at equivalent drive currents and have a wavelength that is matched to silicon’s peak response. Their small package size permits high device density mounting.
Zoekwoorden: OP216A
SPECIFICATIES
VEELGESTELDE VRAGEN
Is OP216A RoHS-conform?
Ja, OP216A is RoHS-conform.
Wat is de levertijd voor OP216A?
De standaard levertijd voor OP216A is ongeveer 12 weken. Voorraadhoeveelheden worden verzonden vanuit Master Electronics.
OP VOORRAAD: 2.560
Kan direct verzenden
MOQ voor voorraadhoeveelheid: 500
MOQ voor niet-voorraadhoeveelheid: 500
Meerdere: 500
Fabriekslevertijd 12 Weken
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
