TN2124K1-G
MOSFET Transistor - DMOS - N Channel - 134 mA - 240 V - 15 ohm - 4.5 V - 2 V. ...
BESCHRIJVING
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Zoekwoorden: TN2124K1G
SPECIFICATIES
VEELGESTELDE VRAGEN
Is TN2124K1-G RoHS-conform?
Ja, TN2124K1-G is RoHS-conform.
Wat is de levertijd voor TN2124K1-G?
De standaard levertijd voor TN2124K1-G is ongeveer 5 dagen. Voorraadhoeveelheden worden verzonden vanuit Master Electronics.
OP VOORRAAD: 5.000
Kan direct verzenden
Fabrieksvoorraad: 87.000 kan verzenden 9-7-26
Minimale bestelhoeveelheid: 500
Fabriekslevertijd 5 Weken kan verzenden 9-30-26
Prijs (USD)
Productgidsen
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
