MMBT3906LT1G

Name: MMBT3906LT1G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12091241
Availability: InStock

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor for switching and amplification applications. ...

Bekijk gegevensblad

RoHS-conform

Conformiteitscertificaat

BESCHRIJVING

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor housed in a SOT-23 package. This device features a collector-emitter voltage of -40 Vdc and a continuous collector current of -200 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 100 and 300 at a collector current of -10 mA, and a minimum current-gain-bandwidth product of 250 MHz. The transistor has a total device dissipation of 225 mW and operates over a junction temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of general-purpose switching and linear amplification circuits.

Productkenmerken:

Mogelijke toepassingen:

Zoekwoorden: MMBT3906LT1G

SPECIFICATIES

Productkenmerk

Attribuutwaarde

Selecteer kenmerk

Producten gevonden: 0

Leverancier:

onsemi

Onderdeelnr.:

MMBT3906LT1G

Meeteenheid:

Per Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Standaardverpakking leverancier: Deze informatie wordt verstrekt voor klanten die de voorkeur geven aan het kopen in veelvouden van de standaardverpakkingshoeveelheid van de fabrikant. Minimale bestelhoeveelheden en vereiste bestelveelvouden worden weergegeven bij onze prijs- en beschikbaarheidsinformatie.