BSDD08G65E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 8A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO252
BESCHRIJVING
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 8A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO252
Zoekwoorden: BSDD08G65E2
SPECIFICATIES
VEELGESTELDE VRAGEN
Is BSDD08G65E2 RoHS-conform?
Ja, BSDD08G65E2 is RoHS-conform.
Wat is de levertijd voor BSDD08G65E2?
De standaard levertijd voor BSDD08G65E2 is ongeveer 18 weken. Voorraadhoeveelheden worden verzonden vanuit Master Electronics.
OP VOORRAAD: 0
MOQ voor niet-voorraadhoeveelheid: 1250
Fabriekslevertijd 18 Weken
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
