FDB52N20TM
The FDB52N20TM is a 200 V, 52 A N-Channel UniFETâ„¢ MOSFET designed for high-voltage switching applications. ...
DESCRIPCIÓN
The FDB52N20TM is a high-voltage N-Channel UniFET™ MOSFET utilizing planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce on-state resistance, featuring a maximum RDS(on) of 49 mΩ at a gate-source voltage of 10 V. This device also provides superior switching performance, characterized by a low typical gate charge of 49 nC and a low reverse transfer capacitance (Crss) of 66 pF. Being 100% avalanche tested, this MOSFET is suitable for switching power converter applications such as PDP TV power supplies, lighting, uninterruptible power supplies, and AC-DC power supplies.
Palabras clave de búsqueda: FDB52N20TM
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FDB52N20TM con la normativa RoHS?
No, FDB52N20TM no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDB52N20TM?
El plazo de entrega estándar de FDB52N20TM es de aproximadamente 8 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 5.558
Envío today, Introduzca el valor de la configuración.
Cantidad mínima de pedido: 25
Plazo de entrega de fábrica 8 Semanas
Precio (USD)
Guías de productos
Cambios del producto
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
