APT33GF120B2RDQ2G
IGBT Transistor - NPT Type - 1200 V - 64 A - 3V Vce(on)(Max) @ 15V Vge, 25A Ic - 357 W - 170 nC Gate Charge - TO-247-3 Variant Package - Through Hole.
描述
The APT33GF120B2RDQ2G is IGBT transistor with dimensions: 21.46mm H x 5.31mm W x 16.26mm L. Operating temperature range is from -55°C to 150°C.
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规格
常见问题
APT33GF120B2RDQ2G 是否符合 RoHS 标准?
是的,APT33GF120B2RDQ2G 符合 RoHS 标准。
APT33GF120B2RDQ2G 的交货期是多少?
APT33GF120B2RDQ2G 的标准交货期约为 26 天。有库存的数量由 Master Electronics 发货。
有存货: 0
最小订购数量: 5
工厂交货期 26 周
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