MMBT3906LT1G

Name: MMBT3906LT1G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12091241
Availability: InStock

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor for switching and amplification applications. ...

Bekijk gegevensblad

Stel een vraag aan het gegevensblad

RoHS-conform

Conformiteitscertificaat

BESCHRIJVING

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor housed in a SOT-23 package. This device features a collector-emitter voltage of -40 Vdc and a continuous collector current of -200 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 100 and 300 at a collector current of -10 mA, and a minimum current-gain-bandwidth product of 250 MHz. The transistor has a total device dissipation of 225 mW and operates over a junction temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of general-purpose switching and linear amplification circuits.

Productkenmerken:

Mogelijke toepassingen:

Zoekwoorden: MMBT3906LT1G

SPECIFICATIES

Productkenmerk

Attribuutwaarde

Selecteer kenmerk

Producten gevonden: 0

Leverancier:

onsemi

Onderdeelnr.:

MMBT3906LT1G

Meeteenheid:

Per Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Standaardverpakking van de leverancier: Het aantal artikelen, de lengte, het gewicht of het volume in de originele verpakking van de leverancier voor efficiënte opslag, verwerking en distributie.