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FDS6675BZ
The FDS6675BZ is a P-Channel PowerTrench® MOSFET with a drain-to-source voltage of -30V and a continuous drain current of -11A. ...
DESCRIPCIÓN
The FDS6675BZ is a P-Channel MOSFET manufactured using an advanced PowerTrench® process to minimize on-state resistance. This device features a maximum on-state resistance (rDS(on)) of 13 mΩ at a gate-source voltage of -10V and a continuous drain current of -11A. It supports a drain-to-source voltage of -30V, an extended gate-to-source voltage range of ±25V, and a pulsed drain current up to -55A. Due to its high power and current handling capabilities, the FDS6675BZ is well-suited for power management and load switching applications, particularly in notebook computers and portable battery packs.
Palabras clave de búsqueda: FDS6675BZ
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FDS6675BZ con la normativa RoHS?
Sí, FDS6675BZ cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDS6675BZ?
El plazo de entrega estándar de FDS6675BZ es de aproximadamente 17 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 6.900
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Cantidad mínima de pedido: 100
Plazo de entrega de fábrica 17 Semanas
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