FDMS86200
The FDMS86200 is a 150V N-Channel PowerTrench® MOSFET featuring Shielded Gate technology for high-efficiency applications. ...
DESCRIPCIÓN
The FDMS86200 is an N-Channel MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This device is optimized for low on-state resistance and superior switching performance, featuring a maximum rDS(on) of 18 mΩ at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum drain-to-source voltage rating of 150V and can handle a continuous drain current of up to 35A at a case temperature of 25°C. The combination of an advanced package and silicon results in high efficiency, making it well-suited for DC-DC conversion applications.
Palabras clave de búsqueda: FDMS86200
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FDMS86200 con la normativa RoHS?
No, FDMS86200 no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDMS86200?
El plazo de entrega estándar de FDMS86200 es de aproximadamente 77 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 3.340
Puede enviar inmediatamente
A la orden:
6.000
puede enviar 1/5/28
Cantidad mínima de pedido: 25
Plazo de entrega de fábrica 77 Semanas
Precio (USD)
Guías de productos
Cambios del producto
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
