OPS667
The OPS667 is a matched pair consisting of a gallium arsenide infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor in a T-1 package. ...
DESCRIPCIÓN
The OPS667 is a sensor pair comprising a gallium arsenide infrared emitting diode and a corresponding NPN silicon phototransistor. This device features a minimum on-state collector current of 5.0 mA with a 20 mA forward current. Key electrical characteristics include a collector-emitter breakdown voltage of at least 30 V, a maximum collector-emitter dark current of 100 nA, and a collector-emitter saturation voltage of 0.4 V. Designed for reliability, it operates over a temperature range of -40°C to +100°C. The OPS667 is well-suited for applications such as non-contact reflective object sensing, assembly line automation, machine safety, and end-of-travel sensors.
Palabras clave de búsqueda: OPS667
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple OPS667 con la normativa RoHS?
Sí, OPS667 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de OPS667?
El plazo de entrega estándar de OPS667 es de aproximadamente 22 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 0
MOQ para cantidad agotada: 1000
Esta plantilla de mensaje se utiliza para notificar a un afiliado que un pedido determinado fue pagado. El pedido obtiene el estado Pagado cuando se cobra el importe.: 1000
Plazo de entrega de fábrica 22 Semanas
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