NTJD1155LT1G
The NTJD1155LT1G is an integrated P-Channel and N-Channel MOSFET configured as a high-side load switch with a level-shift function in an SC-88 package. ...
DESCRIPCIÓN
The NTJD1155LT1G integrates a P-Channel and N-Channel MOSFET into a single SC-88 package, designed to function as a high-side load switch. The P-Channel MOSFET is a low RDS(on) load switch, while the N-Channel MOSFET with internal ESD protection functions as a level-shifter. This device operates on supply lines from 1.8 V to 8.0 V and can be controlled by logic signals from 1.5 V to 8.0 V. It is capable of driving continuous load currents up to ±1.3 A. Due to its small footprint and low-voltage control, the NTJD1155LT1G is particularly suited for power management in portable electronic equipment.
Palabras clave de búsqueda: NTJD1155LT1G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple NTJD1155LT1G con la normativa RoHS?
Sí, NTJD1155LT1G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NTJD1155LT1G?
El plazo de entrega estándar de NTJD1155LT1G es de aproximadamente 46 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 60.000
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Cantidad mínima de pedido: 3000
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Plazo de entrega de fábrica 46 Semanas
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