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NTGD4167CT1G

Name: NTGD4167CT1G Onsemi MOSFET
Brand: Onsemi
SKU: 43108383
Availability: InStock

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package. ...

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Certificado de conformidad

DESCRIPCIÓN

The NTGD4167CT1G is a complementary Power MOSFET that integrates both an N-Channel and a P-Channel transistor into a single, compact 3x3 mm TSOP-6 package. The N-Channel component features a maximum on-resistance (RDS(on)) of 90 mÎ© at a 4.5V gate voltage, while the P-Channel offers an RDS(on) of 170 mÎ© at -4.5V. This device utilizes leading-edge trench technology for low on-resistance and has reduced gate charge to improve switching response. With independently connected devices, it provides significant design flexibility for applications such as DC-DC conversion circuits and load/power switching with level shifting.

Características destacadas:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: NTGD4167CT1G

ESPECIFICACIONES

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Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

NTGD4167CT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple NTGD4167CT1G con la normativa RoHS?

Sí, NTGD4167CT1G cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de NTGD4167CT1G?

El plazo de entrega estándar de NTGD4167CT1G es de aproximadamente 65 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

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Plazo de entrega de fábrica 65 Semanas

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