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NTGD4167CT1G

Name: NTGD4167CT1G Onsemi MOSFET
Brand: Onsemi
SKU: 43108383
Availability: InStock

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package. ...

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Cumple con RoHS

Certificado de conformidad

DESCRIPCIÓN

The NTGD4167CT1G is a complementary Power MOSFET that integrates both an N-Channel and a P-Channel transistor into a single, compact 3x3 mm TSOP-6 package. The N-Channel component features a maximum on-resistance (RDS(on)) of 90 mÎ© at a 4.5V gate voltage, while the P-Channel offers an RDS(on) of 170 mÎ© at -4.5V. This device utilizes leading-edge trench technology for low on-resistance and has reduced gate charge to improve switching response. With independently connected devices, it provides significant design flexibility for applications such as DC-DC conversion circuits and load/power switching with level shifting.

Características destacadas:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: NTGD4167CT1G

ESPECIFICACIONES

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Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

NTGD4167CT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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3000

FREQUENTLY ASKED QUESTIONS

Is NTGD4167CT1G RoHS compliant?

Yes, NTGD4167CT1G is RoHS compliant.

What is the lead time for NTGD4167CT1G?

The standard lead time for NTGD4167CT1G is approximately 18 days. In-stock quantities ship from Master Electronics.

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