NDT452AP
The NDT452AP is a P-Channel enhancement mode power field-effect transistor rated for -30V drain-source voltage and -5A continuous drain current. ...
DESCRIPCIÓN
The NDT452AP is a P-Channel enhancement mode power field-effect transistor produced using a high cell density DMOS technology to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. It features a drain-source voltage (VDSS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -5A, and a low on-state resistance (RDS(ON)) of 0.065 Ω at a gate-source voltage of -10V. The device can handle pulsed drain currents up to -15A and operates over a wide temperature range of -65°C to 150°C. Housed in a SOT-223 surface-mount package, this transistor is particularly suited for low-voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.
Palabras clave de búsqueda: NDT452AP
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple NDT452AP con la normativa RoHS?
No, NDT452AP no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NDT452AP?
El plazo de entrega estándar de NDT452AP es de aproximadamente 11 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 1.649
Puede enviar inmediatamente
A la orden:
8.000
puede enviar 11/2/26
Cantidad mínima de pedido: 50
Plazo de entrega de fábrica 11 Semanas
Precio (USD)
Guías de productos
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
