DESCRIPCIÓN
The ONSEMI MMBT5089LT1G is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) renowned for its excellent gain characteristics and robust performance in a compact package. Ideal for a wide range of electronic applications, this transistor is designed to amplify or switch electronic signals with efficiency and reliability. It features a maximum collector current of 100mA and a collector-emitter voltage of 30V, making it suitable for a variety of low to medium current and voltage applications. The MMBT5089LT1G is housed in a space-saving SOT-23 package, which makes it perfect for modern electronic designs that require efficient use of board space. It is widely used in amplification circuits, switching applications, and in the creation of oscillators and multivibrators. With ONSEMI's commitment to quality and performance, this transistor ensures consistent results across different use cases.
Palabras clave de búsqueda: MMBT5089LT1G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple MMBT5089LT1G con la normativa RoHS?
Sí, MMBT5089LT1G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de MMBT5089LT1G?
El plazo de entrega estándar de MMBT5089LT1G es de aproximadamente 52 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
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Plazo de entrega de fábrica 52 Semanas
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