MMBT5088LT1G
The MMBT5088LT1G is an NPN silicon transistor designed for low-noise amplification applications. ...
DESCRIPCIÓN
The MMBT5088LT1G is an NPN silicon low noise transistor supplied in a SOT-23 package. It features a collector-emitter breakdown voltage of 30 Vdc and a continuous collector current rating of 50 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 300 and 900 at 100 µA, a minimum current-gain-bandwidth product of 50 MHz, and a maximum noise figure of 3.0 dB. This Pb-free and RoHS-compliant device is well-suited for use in audio preamplifiers and other sensitive signal processing circuits where low noise is a critical requirement.
Palabras clave de búsqueda: MMBT5088LT1G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple MMBT5088LT1G con la normativa RoHS?
Sí, MMBT5088LT1G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de MMBT5088LT1G?
El plazo de entrega estándar de MMBT5088LT1G es de aproximadamente 52 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 213.000
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Plazo de entrega de fábrica 52 Semanas
Precio (USD)
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