La imagen es representativa - ver especificaciones del fabricante

MMBT3906LT1G

onsemi

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor for switching and amplification applications. ...

FICHA TÉCNICA

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor housed in a SOT-23 package. This device features a collector-emitter voltage of -40 Vdc and a continuous collector current of -200 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 100 and 300 at a collector current of -10 mA, and a minimum current-gain-bandwidth product of 250 MHz. The transistor has a total device dissipation of 225 mW and operates over a junction temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of general-purpose switching and linear amplification circuits.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: MMBT3906LT1G

ESPECIFICACIÓN

Atributo del producto

Valor de atributo

Seleccionar atributo

Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MMBT3906LT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d