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onsemi Revendedor autorizado

MMBT3906LT1G

Name: MMBT3906LT1G Onsemi Bipolar Junction
Brand: Onsemi
SKU: 12091241
Availability: InStock

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor for switching and amplification applications. ...

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Cumple con RoHS

Certificado de conformidad

DESCRIPCIÓN

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor housed in a SOT-23 package. This device features a collector-emitter voltage of -40 Vdc and a continuous collector current of -200 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 100 and 300 at a collector current of -10 mA, and a minimum current-gain-bandwidth product of 250 MHz. The transistor has a total device dissipation of 225 mW and operates over a junction temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of general-purpose switching and linear amplification circuits.

Características destacadas:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: MMBT3906LT1G

ESPECIFICACIONES

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MMBT3906LT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.

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3000

Tensión colector-base máxima:

40 V

Familia:

MMBT3906L

Dimensión:

2.9 x 1.3 x 0.94 mm

PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple MMBT3906LT1G con la normativa RoHS?

Sí, MMBT3906LT1G cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de MMBT3906LT1G?

El plazo de entrega estándar de MMBT3906LT1G es de aproximadamente 42 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

EN STOCK: 669.000

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Plazo de entrega de fábrica 42 Semanas

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