MJE15030G
The MJE15030G is an NPN complementary silicon power transistor designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers. ...
DESCRIPCIÓN
The MJE15030G is an NPN silicon power transistor designed for high-frequency driver applications, particularly in audio amplifiers. It features a collector-emitter voltage of 150 V and supports a continuous collector current of 8.0 A, with a peak current rating of 16 A. The device can dissipate up to 50 W at a case temperature of 25°C and offers a minimum current gain-bandwidth product of 30 MHz. Housed in a TO-220 package, this RoHS-compliant transistor is ideal for power amplification circuits requiring robust performance and high-frequency response.
Palabras clave de búsqueda: MJE15030G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple MJE15030G con la normativa RoHS?
No, MJE15030G no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de MJE15030G?
El plazo de entrega estándar de MJE15030G es de aproximadamente 26 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 8.000
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Cantidad mínima de pedido: 50
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Plazo de entrega de fábrica 26 Semanas
Precio (USD)
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