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MJE15030G

The MJE15030G is an NPN complementary silicon power transistor designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers. ...

FICHA TÉCNICA

RoHS no cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The MJE15030G is an NPN silicon power transistor designed for high-frequency driver applications, particularly in audio amplifiers. It features a collector-emitter voltage of 150 V and supports a continuous collector current of 8.0 A, with a peak current rating of 16 A. The device can dissipate up to 50 W at a case temperature of 25°C and offers a minimum current gain-bandwidth product of 30 MHz. Housed in a TO-220 package, this RoHS-compliant transistor is ideal for power amplification circuits requiring robust performance and high-frequency response.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

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ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MJE15030G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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