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H11G2SR2M
The H11G2SR2M is a high-voltage, photodarlington-type optically coupled optocoupler designed for electrical isolation and high sensitivity. ...
DESCRIPCIÓN
The H11G2SR2M is a photodarlington-type optocoupler, which integrates a gallium arsenide infrared emitting diode with a silicon darlington phototransistor. It features a high collector-emitter breakdown voltage of at least 80V and offers high sensitivity with a minimum current transfer ratio (CTR) of 500% at a low input current of 1mA. This device maintains low leakage current, not exceeding 100µA at 60V and an elevated temperature of 80°C, and has a maximum saturation voltage of 1.0V. It is well-suited for applications such as CMOS logic interfacing, telephone ring detection, low input TTL interfacing, and power supply isolation.
Palabras clave de búsqueda: H11G2SR2M
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple H11G2SR2M con la normativa RoHS?
Sí, H11G2SR2M cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de H11G2SR2M?
El plazo de entrega estándar de H11G2SR2M es de aproximadamente 24 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 1.850
Puede enviar inmediatamente
A la orden:
7.000
puede enviar 1/8/27
Cantidad mínima de pedido: 50
Plazo de entrega de fábrica 24 Semanas
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