FGH60N60SMD
The FGH60N60SMD is a 600V, 60A Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-current switching applications. ...
DESCRIPCIÓN
The FGH60N60SMD is a second-generation Field Stop IGBT that offers optimum performance by utilizing novel field stop technology. It is rated for a collector-emitter voltage of 600V and a continuous collector current of 60A at 100°C. Key features include a high maximum junction temperature of 175°C, a low typical saturation voltage of 1.9V at 60A, and fast switching characteristics which minimize losses. Its positive temperature coefficient allows for easy parallel operation, making it a robust choice for high-power designs. This IGBT is ideal for applications requiring low conduction and switching losses, such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), welders, and energy storage systems (ESS).
Palabras clave de búsqueda: FGH60N60SMD
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FGH60N60SMD con la normativa RoHS?
No, FGH60N60SMD no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FGH60N60SMD?
El plazo de entrega estándar de FGH60N60SMD es de aproximadamente 13 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 1.200
Puede enviar inmediatamente
Cantidad mínima de pedido: 30
Esta plantilla de mensaje se utiliza para notificar a un afiliado que un pedido determinado fue pagado. El pedido obtiene el estado Pagado cuando se cobra el importe.: 30
Plazo de entrega de fábrica 13 Semanas
Precio (USD)
Guías de productos
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
