FDV303N

Name: FDV303N
Brand: Onsemi
SKU: 60422680
Price: 185.4 USD
Availability: InStock

onsemi

The FDV303N is an N-Channel enhancement mode digital FET designed for low voltage and battery-powered applications. ...

FICHA TÉCNICA

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The FDV303N is an N-Channel enhancement mode field-effect transistor produced using a high cell density DMOS process to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. It features a drain-source voltage of 25V and a continuous drain current of 0.68A. The device exhibits a low on-state resistance (RDS(ON)) of 0.45 Î© at a 4.5V gate voltage and has a gate threshold voltage below 1V, allowing direct operation in 3V circuits. Due to its low gate drive requirements and high efficiency, it is ideal for applications in battery circuits, inverters, and miniature DC/DC converters in portable electronics like cellular phones.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: FDV303N

ESPECIFICACIÓN

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Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDV303N

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

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