FDT86113LZ
The FDT86113LZ is an N-Channel PowerTrench® MOSFET rated for 100V drain-to-source voltage and 3.3A continuous drain current. ...
DESCRIPCIÓN
The FDT86113LZ is an N-Channel logic-level MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. This device features a maximum on-resistance (rDS(on)) of 100 mΩ at a VGS of 10V and is rated for a drain-to-source voltage of 100V with a continuous drain current of 3.3A. It incorporates a Gate-to-Source zener diode for enhanced ESD protection and is 100% UIL tested. Housed in a surface-mount SOT-223 package, this MOSFET is optimized for high power and current handling, making it ideal for DC-DC switching applications.
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ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FDT86113LZ con la normativa RoHS?
No, FDT86113LZ no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDT86113LZ?
El plazo de entrega estándar de FDT86113LZ es de aproximadamente 19 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
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Plazo de entrega de fábrica 19 Semanas
Precio (USD)
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