FDN358P
The FDN358P is a single P-channel, logic level PowerTrench® MOSFET designed for low on-state resistance and superior switching performance. ...
DESCRIPCIÓN
The FDN358P is a single P-channel, logic level MOSFET produced using an advanced PowerTrench process. It features a drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -1.5A. This device is tailored to minimize on-state resistance, with an RDS(ON) of 125 mΩ at a gate-source voltage of -10V and 200 mΩ at -4.5V. It also maintains a low typical gate charge of 4 nC for superior switching performance, all within a SuperSOT-3 package. The FDN358P is well-suited for portable electronics applications such as load switching, power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Palabras clave de búsqueda: FDN358P
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FDN358P con la normativa RoHS?
Sí, FDN358P cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDN358P?
El plazo de entrega estándar de FDN358P es de aproximadamente 15 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 22.550
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Cantidad mínima de pedido: 250
Plazo de entrega de fábrica 15 Semanas
Precio (USD)
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