FDMS86200

The FDMS86200 is a 150V N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET featuring Shielded Gate technology for high-efficiency applications. ...

FICHA TÉCNICA

RoHS no cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The FDMS86200 is an N-Channel MOSFET produced using an advanced PowerTrenchÂ® process that incorporates Shielded Gate technology. This device is optimized for low on-state resistance and superior switching performance, featuring a maximum rDS(on) of 18 mÎ© at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum drain-to-source voltage rating of 150V and can handle a continuous drain current of up to 35A at a case temperature of 25Â°C. The combination of an advanced package and silicon results in high efficiency, making it well-suited for DC-DC conversion applications.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

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ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDMS86200

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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