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BSS138LT1G

The BSS138LT1G is an N-Channel Power MOSFET rated for 50V and 200mA, housed in a compact SOT-23 surface-mount package. ...

FICHA TÉCNICA

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The BSS138LT1G is an N-Channel Power MOSFET designed for low-voltage applications. It features a maximum drain-to-source voltage of 50V and can handle a continuous drain current of 200mA. With a low gate-to-source threshold voltage between 0.85V and 1.5V, it is ideal for logic-level control. The device exhibits a typical static drain-to-source on-resistance of 3.5 Î© at a 5.0V gate voltage. Its miniature SOT-23 package makes it suitable for space-constrained applications such as DC-DC converters and power management in portable electronics like cellular phones, computers, and printers.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: BSS138LT1G

ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

BSS138LT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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