1N5820G by onsemi
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1N5820G

The 1N5820G is a 3.0 A, 20 V axial-lead Schottky barrier rectifier designed for high-efficiency applications. ...

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DESCRIPCIÓN

The 1N5820G is a 3.0 A Schottky barrier rectifier that employs a metal-to-silicon power diode design. It is characterized by a low forward voltage, with a maximum of 0.475 V at its rated forward current of 3.0 A, and a peak repetitive reverse voltage of 20 V. This device features majority carrier conduction, which results in low stored charge, high efficiency, and minimal power loss. Due to these characteristics, it is ideally suited for use as a rectifier in low-voltage, high-frequency inverters, as well as for free-wheeling and polarity protection applications.

Palabras clave de búsqueda: 1N5820G

ESPECIFICACIONES

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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
onsemi
Nº de pieza:
1N5820G
Unidad de medida:
Por Each
RoHS:
No
HTS:
8541100080
COO:
MY
ECCN:
EAR99
Embalaje estándar del proveedor: La cantidad de artículos, la longitud, el peso o el volumen contenidos en el embalaje original del proveedor para facilitar un almacenamiento, una manipulación y una distribución eficientes.
500

PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple 1N5820G con la normativa RoHS?

No, 1N5820G no cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de 1N5820G?

El plazo de entrega estándar de 1N5820G es de aproximadamente 30 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

EN STOCK: 3.000

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Cantidad mínima de pedido: 500

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Plazo de entrega de fábrica 30 Semanas

Precio (USD)

Cant.
Precio unitario
500
$0.3329
1.000
$0.3299
2.500
$0.3275
5.000
$0.3259
7.500
$0.3251
25.000
$0.3243
50.000 +
$0.3235

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