La imagen es representativa - ver especificaciones del fabricante

JANTX2N3019S

Bipolar (BJT) Transistor - NPN - 1A Ic - 80V Collector Emitter Breakdown (Max) - 800 mW - TO-39 Package - Through Hole.

Cumple con RoHS

DESCRIPCIÓN

The JANTX2N3019S NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications. Operating temperature range is from -65°C to 200°C (TJ).

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: JANTX2N3019S

ESPECIFICACIÓN

Atributo del producto

Valor de atributo

Seleccionar atributo

Productos Encontrados: 0

Proveedor:

Microchip Technology

Nº de pieza:

JANTX2N3019S

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

Paquete estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precios y d