APT33GF120B2RDQ2G
IGBT Transistor - NPT Type - 1200 V - 64 A - 3V Vce(on)(Max) @ 15V Vge, 25A Ic - 357 W - 170 nC Gate Charge - TO-247-3 Variant Package - Through Hole.
DESCRIPCIÓN
The APT33GF120B2RDQ2G is IGBT transistor with dimensions: 21.46mm H x 5.31mm W x 16.26mm L. Operating temperature range is from -55°C to 150°C.
Palabras clave de búsqueda: APT33GF120B2RDQ2G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple APT33GF120B2RDQ2G con la normativa RoHS?
Sí, APT33GF120B2RDQ2G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de APT33GF120B2RDQ2G?
El plazo de entrega estándar de APT33GF120B2RDQ2G es de aproximadamente 26 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 0
Cantidad mínima de pedido: 5
Plazo de entrega de fábrica 26 Semanas
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