BSDH10S65E6
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.29V - -55°C to 175°C - TO220-2
DESCRIPCIÓN
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.29V - -55°C to 175°C - TO220-2
Palabras clave de búsqueda: BSDH10S65E6
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple BSDH10S65E6 con la normativa RoHS?
Sí, BSDH10S65E6 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de BSDH10S65E6?
El plazo de entrega estándar de BSDH10S65E6 es de aproximadamente 18 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 0
MOQ para cantidad agotada: 750
Plazo de entrega de fábrica 18 Semanas
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