BSDD08G65E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 8A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO252
DESCRIPCIÓN
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 8A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO252
Palabras clave de búsqueda: BSDD08G65E2
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple BSDD08G65E2 con la normativa RoHS?
Sí, BSDD08G65E2 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de BSDD08G65E2?
El plazo de entrega estándar de BSDD08G65E2 es de aproximadamente 18 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 0
MOQ para cantidad agotada: 1250
Plazo de entrega de fábrica 18 Semanas
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