BIDNW30N60H3 by bourns
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Bourns Distribuidor Autorizado

BIDNW30N60H3

IGBT Discrete 600V - 30A - TO-247N - -55°C to +150°C ...

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Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Accesorios
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Certificado de conformidad

DESCRIPCIÓN

BIDNW30N60H3 is a 600 V, 30 A Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) that combines MOS gate and bipolar transistor technology for optimized high-voltage and high-current switching performance. The device employs advanced trench-gate field-stop technology, which provides superior control of dynamic characteristics, resulting in a low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) of 1.65 V typical at 30 A and 25°C, and reduced switching losses with fast switching response. Key electrical characteristics include a gate-threshold voltage of 4.0–6.5 V, turn-on delay time of 30 ns, and total switching energy of 2.3 mJ, making it well-suited for demanding applications such as switch-mode power supplies (SMPS), uninterruptible power sources (UPS), power factor correction (PFC), and induction heating systems.

Palabras clave de búsqueda: BIDNW30N60H3

ESPECIFICACIONES

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Productos Encontrados: 0
Proveedor:
Bourns
Nº de pieza:
BIDNW30N60H3
Unidad de medida:
Por Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541290095
COO:
CN
ECCN:
EAR99
Embalaje estándar del proveedor: La cantidad de artículos, la longitud, el peso o el volumen contenidos en el embalaje original del proveedor para facilitar un almacenamiento, una manipulación y una distribución eficientes.
600
Tipo de encapsulado:
TUBE

PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cumple BIDNW30N60H3 con la normativa RoHS?

Sí, BIDNW30N60H3 cumple con la normativa RoHS.

¿Cuál es el plazo de entrega de BIDNW30N60H3?

El plazo de entrega estándar de BIDNW30N60H3 es de aproximadamente 16 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.

EN STOCK: 0

MOQ para cantidad agotada: 750

Plazo de entrega de fábrica 16 Semanas

Precio (USD)

Cant.
Precio unitario
750
$4.76
1.500
$2.52
2.250
$1.77
3.000 +
$1.74