NTMFS5C670NLT1G
The NTMFS5C670NLT1G is a single N-Channel power MOSFET rated for 60V with a maximum on-resistance of 6.1 mΩ and a continuous drain current of 71A. ...
DESCRIPCIÓN
The NTMFS5C670NLT1G is a single N-Channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It operates with a drain-to-source voltage (VDSS) of 60 V and supports a maximum continuous drain current (ID) of 71 A at a case temperature of 25°C. This device features a very low on-resistance (RDS(on)) of 6.1 mΩ (max) at a gate voltage of 10 V, which minimizes conduction losses. Housed in a compact 5x6 mm DFN5 package, this RoHS compliant MOSFET is ideal for space-constrained designs requiring high power density and efficiency.
Palabras clave de búsqueda: NTMFS5C670NLT1G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple NTMFS5C670NLT1G con la normativa RoHS?
No, NTMFS5C670NLT1G no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NTMFS5C670NLT1G?
El plazo de entrega estándar de NTMFS5C670NLT1G es de aproximadamente 58 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
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Plazo de entrega de fábrica 58 Semanas
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