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NTJD5121NT1G

onsemi

A dual N-Channel power MOSFET with ESD protection, rated for 60 V and 295 mA in a SC-88 package. ...

FICHA TÉCNICA

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The NTJD5121NT1G is a dual N-Channel power MOSFET featuring integrated ESD protection in a compact SC-88 surface-mount package. This device is characterized by a drain-to-source voltage of 60 V and a continuous drain current of 295 mA at an ambient temperature of 25Â°C. It offers low on-resistance, with a maximum RDS(on) of 1.6 Î© at a 10 V gate-source voltage and 2.5 Î© at 4.5 V. Key features include a low gate threshold voltage, low input capacitance, and a gate-source ESD rating of 2000 V (HBM). These characteristics make the NTJD5121NT1G suitable for applications such as low-side load switches and DC-DC converters.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: NTJD5121NT1G

ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

NTJD5121NT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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