NDS331N
The NDS331N is an N-Channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor (FET) featuring a 20V drain-source voltage and 1.3A continuous drain current. ...
DESCRIPCIÓN
The NDS331N is an N-Channel logic level enhancement mode power FET designed with high-density DMOS technology to minimize on-state resistance. It operates with a drain-source voltage of 20V, a continuous gate-source voltage of 8V, and handles a continuous drain current of 1.3A. Key features include a low on-state resistance (RDS(ON)) of 0.16 Ω at VGS=4.5V and 0.21 Ω at VGS=2.7V. Housed in a SOT-23 surface-mount package, this transistor is ideal for low-voltage applications such as notebook computers, portable phones, and other battery-powered circuits requiring fast switching and low power loss.
Palabras clave de búsqueda: NDS331N
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple NDS331N con la normativa RoHS?
Sí, NDS331N cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NDS331N?
El plazo de entrega estándar de NDS331N es de aproximadamente 16 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 75.422
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Cantidad mínima de pedido: 250
Plazo de entrega de fábrica 16 Semanas
Precio (USD)
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