NDS0605
The NDS0605 is a P-Channel enhancement mode field effect transistor designed for use as a voltage-controlled small signal switch. ...
DESCRIPCIÓN
The NDS0605 is a P-Channel enhancement mode field effect transistor produced using a high cell density DMOS technology for fast switching and low on-state resistance. It features a drain-source voltage of -60V, a continuous drain current of -0.18A, and a typical on-state resistance (RDS(ON)) of 5 Ω at a gate-source voltage of -10V. The transistor operates over a wide temperature range from -55°C to +150°C and is housed in a compact SOT-23 package. This device is particularly suited for low voltage applications that require a low current, high-side switch, capable of delivering pulsed currents up to -1A.
Palabras clave de búsqueda: NDS0605
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple NDS0605 con la normativa RoHS?
Sí, NDS0605 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NDS0605?
El plazo de entrega estándar de NDS0605 es de aproximadamente 45 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 69.000
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Cantidad mínima de pedido: 3000
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Plazo de entrega de fábrica 45 Semanas
Precio (USD)
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