MMBT5088LT1G

The MMBT5088LT1G is an NPN silicon transistor designed for low-noise amplification applications. ...

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The MMBT5088LT1G is an NPN silicon low noise transistor supplied in a SOT-23 package. It features a collector-emitter breakdown voltage of 30 Vdc and a continuous collector current rating of 50 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 300 and 900 at 100 µA, a minimum current-gain-bandwidth product of 50 MHz, and a maximum noise figure of 3.0 dB. This Pb-free and RoHS-compliant device is well-suited for use in audio preamplifiers and other sensitive signal processing circuits where low noise is a critical requirement.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

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ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MMBT5088LT1G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

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