MJ21196G

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor designed for high-power audio output, disk head positioners, and linear applications. ...

FICHA TÉCNICA

RoHS no cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The MJ21196G is an NPN silicon power transistor that utilizes Perforated Emitter technology for high-power applications. It is rated for a collector-emitter voltage of 250 V and a continuous collector current of 16 A, with a total power dissipation capacity of 250 W. This device features a high DC current gain with a minimum hFE of 25 at an 8 A collector current, ensuring excellent gain linearity and low total harmonic distortion. Due to its high Safe Operating Area (SOA) and robust design, the MJ21196G is ideal for high-fidelity audio amplifiers, disk head positioners, and other demanding linear circuits.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

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ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

MJ21196G

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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