FQB12P20TM
The FQB12P20TM is a -200V P-Channel enhancement mode MOSFET designed for high-efficiency switching applications. ...
DESCRIPCIÓN
The FQB12P20TM is a P-Channel enhancement mode power MOSFET produced using a proprietary planar stripe, DMOS technology. It is characterized by a drain-source voltage of -200V, a continuous drain current of -11.5A, and a low on-state resistance of 0.47Ω at a -10V gate-source voltage. This device offers superior switching performance with a low typical gate charge of 31 nC and a low reverse transfer capacitance of 30 pF. It is 100% avalanche tested and features improved dv/dt capability for robust operation. These characteristics make the FQB12P20TM well-suited for high-efficiency switching DC/DC converters.
Palabras clave de búsqueda: FQB12P20TM
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple FQB12P20TM con la normativa RoHS?
No, FQB12P20TM no cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FQB12P20TM?
El plazo de entrega estándar de FQB12P20TM es de aproximadamente 11 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 1.890
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Plazo de entrega de fábrica 11 Semanas
Precio (USD)
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