FDN358P

The FDN358P is a single P-channel, logic level PowerTrenchÂ® MOSFET designed for low on-state resistance and superior switching performance. ...

FICHA TÉCNICA

Cumple con RoHS

Certificate of Compliance Guarantee

DESCRIPCIÓN

The FDN358P is a single P-channel, logic level MOSFET produced using an advanced PowerTrench process. It features a drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -1.5A. This device is tailored to minimize on-state resistance, with an RDS(ON) of 125 mâ„¦ at a gate-source voltage of -10V and 200 mâ„¦ at -4.5V. It also maintains a low typical gate charge of 4 nC for superior switching performance, all within a SuperSOT-3 package. The FDN358P is well-suited for portable electronics applications such as load switching, power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

Palabras clave de búsqueda: FDN358P

ESPECIFICACIÓN

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Productos Encontrados: 0

Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDN358P

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

Yes

HTS:

8541210095

COO:

ECCN:

EAR99

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