FDB52N20TM

The FDB52N20TM is a 200 V, 52 A N-Channel UniFETâ„¢ MOSFET designed for high-voltage switching applications. ...

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DESCRIPCIÓN

The FDB52N20TM is a high-voltage N-Channel UniFETâ„¢ MOSFET utilizing planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce on-state resistance, featuring a maximum RDS(on) of 49 mÎ© at a gate-source voltage of 10 V. This device also provides superior switching performance, characterized by a low typical gate charge of 49 nC and a low reverse transfer capacitance (Crss) of 66 pF. Being 100% avalanche tested, this MOSFET is suitable for switching power converter applications such as PDP TV power supplies, lighting, uninterruptible power supplies, and AC-DC power supplies.

Características destacadas del producto:

Aplicaciones potenciales:

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ESPECIFICACIÓN

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Proveedor:

onsemi

Nº de pieza:

FDB52N20TM

Unidad de medida:

Por Each

RoHS:

HTS:

8541290095

COO:

ECCN:

EAR99

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