TN2124K1-G
MOSFET Transistor - DMOS - N Channel - 134 mA - 240 V - 15 ohm - 4.5 V - 2 V. ...
DESCRIPCIÓN
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Palabras clave de búsqueda: TN2124K1G
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple TN2124K1-G con la normativa RoHS?
Sí, TN2124K1-G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de TN2124K1-G?
El plazo de entrega estándar de TN2124K1-G es de aproximadamente 4 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 5.000
Puede enviar inmediatamente
Stock del fabricante: 18.000 puede enviar 9/21/26
Cantidad mínima de pedido: 500
Plazo de entrega de fábrica 4 Semanas puede enviar 10/12/26
Precio (USD)
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