APT45GP120JDQ2
The APT45GP120JDQ2 is a 1200V Punch-Through technology IGBT designed for high-frequency, high-voltage switching applications. ...
DESCRIPCIÓN
The APT45GP120JDQ2 is a POWER MOS 7® IGBT that utilizes Punch-Through technology for high-voltage power switching. It is rated for a collector-emitter voltage of 1200V and can handle a continuous collector current of 75A at a case temperature of 25°C, or 34A at 110°C. The device features a total power dissipation of 329W and a robust Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) of 170A at 960V. With an operating junction temperature range of -55°C to 150°C and features like low conduction loss and ultrafast tail current shutoff, it ensures reliable performance. This IGBT is optimized for use in high-frequency switch-mode power supplies and other demanding switching applications.
Palabras clave de búsqueda: APT45GP120JDQ2
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple APT45GP120JDQ2 con la normativa RoHS?
Sí, APT45GP120JDQ2 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de APT45GP120JDQ2?
El plazo de entrega estándar de APT45GP120JDQ2 es de aproximadamente 20 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 21
Puede enviar inmediatamente
Stock del fabricante: 28 puede enviar 9/21/26
MOQ para cantidad agotada: 5
Plazo de entrega de fábrica 20 Semanas puede enviar 1/25/27
English
中文 / 汉语
Deutsch
Español
Nederlands
