BSDH10G65E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO220-2
DESCRIPCIÓN
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 650V - Vf: 1.45V - -55°C to 175°C - TO220-2
Palabras clave de búsqueda: BSDH10G65E2
ESPECIFICACIONES
PREGUNTAS FRECUENTES
¿Cumple BSDH10G65E2 con la normativa RoHS?
Sí, BSDH10G65E2 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de BSDH10G65E2?
El plazo de entrega estándar de BSDH10G65E2 es de aproximadamente 18 días. Las cantidades disponibles se envían desde Master Electronics.
EN STOCK: 0
MOQ para cantidad agotada: 750
Plazo de entrega de fábrica 18 Semanas
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